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SIZ920DT-T1-GE3中文资料

  • 大小：212KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：2 N 沟道（半桥）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.1 毫欧 @ 18.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1260pF @ 15V
  • 功率 - 最大：39W，100W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-PowerPair?
  • 供应商设备封装：6-PowerPair?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SIZ920DT-T1-GE3TR

SIZ920DT-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-01 21:36:42
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