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SIZ920DT-T1-GE3中文资料

  • 大小:212KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 N 沟道(半桥)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.1 毫欧 @ 18.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1260pF @ 15V
  • 功率 - 最大:39W,100W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-PowerPair?
  • 供应商设备封装:6-PowerPair?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SIZ920DT-T1-GE3TR

SIZ920DT-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-01 21:36:42
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